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压敏电阻交流作用下的老化机理
交流作用下。在正半周时,假设右侧为正极性,电压主要加在右侧的耗尽层上,使右侧的Zni向晶界迁移,而左侧所加电压很低,Zn
i向晶粒内迁移不大;在负半周,电压主要加在左侧,使左侧Zni向晶界迁移,右侧这时所加电压很低,Zni向晶粒体内迁移不大。总的结果是左右两侧的Zni都向晶界迁移。
源林电子(www.dgyuanlin.cn)是一家专业研发、生产压敏电阻的高科技电子元器件企业。主营压敏电阻、热敏电阻和温度传感器,自有研发团队,厂家直销!
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ZnO压敏电阻器的限压原理:
VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV),其中VS为浪涌电压,Zsourc为浪涌电压源的阻抗,如传输线的电阻或线圈的电感等,ZSIOV
为ZnO压敏电阻器在某电流下的电阻。浪涌电压源的阻抗往往被低估,因浪涌电流包含许多KHz—MHz的交流成分,其阻抗比低频时大得多。
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